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Huace-1450G 真空晶圓退火爐在硅化物薄膜晶化退火工藝中的應用
日期：2026-11-03 18:40
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摘要：
Huace-1450G 真空晶圓退火爐在硅化物薄膜晶化退火工藝中的應用
硅化物薄膜用于半導體器件源漏接觸層，退火工藝決定薄膜晶相、方塊電阻。退火溫度、升降溫速率以及氣氛條件控制不當，容易出現薄膜團聚、生成高阻雜相，增加接觸電阻。Huace-1450G 真空晶圓退火爐可實現高溫真空 / 可控氣氛快速熱處理，用于硅化物薄膜晶化工藝研究。
一、傳統硅化物退火痛點
普通管式爐熱慣性大，升降溫慢，薄膜長時間高溫，容易發生團聚、相變，生成高阻雜相。
氣氛管控差，微量氧會造成金屬硅化物氧化，直接抬升薄膜電阻。...
Huace-1450G 真空晶圓退火爐在硅化物薄膜晶化退火工藝中的應用
硅化物薄膜用于半導體器件源漏接觸層，退火工藝決定薄膜晶相、方塊電阻。退火溫度、升降溫速率以及氣氛條件控制不當，容易出現薄膜團聚、生成高阻雜相，增加接觸電阻。Huace-1450G 真空晶圓退火爐可實現高溫真空 / 可控氣氛快速熱處理，用于硅化物薄膜晶化工藝研究。
一、傳統硅化物退火痛點
普通管式爐熱慣性大，升降溫慢，薄膜長時間高溫，容易發生團聚、相變，生成高阻雜相。
氣氛管控差，微量氧會造成金屬硅化物氧化，直接抬升薄膜電阻。
晶圓片內溫度不均，薄膜局部晶化不完全，整片方塊電阻差異大。
無法靈活切換真空、惰性氣氛，難以開展多組氣氛對照試驗。
二、硅化物薄膜晶化退火方案
Huace-1450G 溫度可達 1450℃，紅外鍍金聚焦加熱，支持高速可編程升降溫；石英保護腔體可切換真空或者高純保護氣氛，隔絕氧氣避免硅化物氧化。6 英寸樣品臺溫場均勻度滿足工藝需求，PID 閉環溫控保證工藝可重復；退火完成后氣體 + 水冷組合快速降溫，縮短薄膜高溫停留時間，減小薄膜團聚劣化。
三、研發工藝價值
研究鎳硅、鈦硅等硅化物薄膜晶化行為；優化退火溫度、時間、氣氛參數，獲得低阻連續硅化物薄膜；評估不同工藝條件對薄膜方塊電阻、微觀形貌的影響；篩選工藝窗口，降低器件接觸電阻。
